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SGS硅材、靶材和稀土材料純度測試 | |
■ 配備高端潔凈室、分析儀器 |
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■ 先進檢測經驗和系統(tǒng) | |
■ 專業(yè)檢測工程師 | |
硅材是重要的半導體材料,化學元素符號Si,半導體工業(yè)上使用的硅應具有高純度和優(yōu)良的電學和機械等性能。
硅材一般以多晶硅或單晶硅存在,用于芯片制造之前會通過拉晶,切片等工藝制成硅片,硅材的純度,雜質的含量對最終晶圓的質量起決定性影響。
靶材,定義為靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料,材料通過濺射到不同的基體,形成特定電性質,物理性質的金屬膜材料,在半導體晶圓制造中,200mm( 8寸)及以下晶圓制造通常以鋁制程為主,使用的靶材以鋁、鈦元素為主。300mm( 12寸)晶圓制造,多使用先進的銅互連技術,主要使用銅、鉭靶材。
靶材的純度,直接影響半導體制程和產品的良率。
稀土材料,約占36%儲藏在中國。稀土金屬,稀有金屬和稀散金屬組成了三稀金屬,應用在工業(yè)領域的各個方面,尤其是半導體產業(yè)。比如第二代半導體材料砷化鎵,碲化銦,第三代半導體材料氮化鎵等,稀土金屬也被用作拋光材料,氧化鈰是拋光粉最常用的材料,在半導體靶材領域,相當一部分採用的是鉭靶、鉬靶、鎢靶等為主。
稀土材料在半導體領域的應用上, 純度要求與不純物的管控相當重要。
SGS配備高端潔凈室、高端分析儀器(半導體專業(yè)配置的ICP/MS),引進世界先進檢測經驗和系統(tǒng),以及檢測工程師,提供針對半導體工業(yè)用硅材和靶材提供成分和雜質的測定服務。
● 硅材痕量金屬含量測定-ICP/MS法
● 硅材痕量金屬含量測定-GD/MS法
● 靶材雜質痕量金屬測定-ICP/MS法
● 靶材雜質痕量金屬測定-GD/MS法
● 稀土材料痕量金屬含量測定-ICP/MS法
● 稀土材料痕量金屬含量測定-GD/MS法
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