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碳中和 ESG 運(yùn)輸包裝

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微電子元器件ESD測(cè)試服務(wù)

微電子元器件ESD測(cè)試服務(wù)

ESD以高電壓、短時(shí)放電特性威脅微電子元器件可靠性，是造成失效的主要原因之一。ESD測(cè)試服務(wù)助力企業(yè)進(jìn)行質(zhì)量?jī)?yōu)化與技術(shù)創(chuàng)新，以應(yīng)對(duì)電子復(fù)雜度升級(jí)和國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)苛化挑戰(zhàn)，成為技術(shù)破局與差異化競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵工具。

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微電子元器件ESD測(cè)試服務(wù)

人體模型（HBM）丨機(jī)器模型（MM）丨帶電器件模型（CDM）

服務(wù)背景

ESD（Electro-Static discharge）意為靜電放電，其特點(diǎn)在于其高電壓、低電量、小電流以及作用時(shí)間短，對(duì)于微電子元器件而言是致命的。在IC行業(yè)中，ESD是主要的可靠性威脅之一，三分之一IC的失效都源于此。例如，氧化層擊穿、金屬遷移、電荷注入、瞬態(tài)過(guò)熱等。

ESD測(cè)試服務(wù)通過(guò)合規(guī)支撐、質(zhì)量管控、成本優(yōu)化、技術(shù)賦能四大維度，為客戶創(chuàng)造全生命周期價(jià)值。在電子產(chǎn)品復(fù)雜度提升、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)趨嚴(yán)的背景下，專業(yè)的ESD測(cè)試服務(wù)已成為企業(yè)突破技術(shù)壁壘、實(shí)現(xiàn)差異化競(jìng)爭(zhēng)不可或缺的核心工具之一。

服務(wù)內(nèi)容

SGS能夠?yàn)榭蛻籼峁┩陚涞腅SD測(cè)試服務(wù)，滿足各類標(biāo)準(zhǔn)要求，幫助客戶進(jìn)行設(shè)計(jì)改進(jìn)、降低保修和召回成本。

ESD測(cè)試主要有三大類別，分別對(duì)應(yīng)三種模型——人體模型（HBM）、機(jī)器模型（MM）和帶電器件模型（CDM）。

a) HBM模擬的是人體通過(guò)接觸釋放靜電到電子器件上的情形，HBM的放電時(shí)間非常短暫，通常在納秒(ns)量級(jí)，具體數(shù)值大約在100納秒左右。

1. 參考標(biāo)準(zhǔn)

● ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2024

● AEC-Q100-002-Rev-E 2013

● AEC-Q101-001-Rev-A 2005

● MIL-STD-883-3-2019 Method 3015.9

● GJB548C-2021-3015.1

2. 電壓等級(jí)

Classification	Voltage Range (V)
0Z	< 50
0A	50 to < 125
0B	125 to < 250
1A	250 to < 500
1B	500 to < 1000
1C	1000 to < 2000
2	2000 to < 4000
3A	4000 to < 8000
3B	≥ 8000

b) MM模擬生產(chǎn)設(shè)備對(duì)器件的靜電沖擊，常見(jiàn)于半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)。

1. 參考標(biāo)準(zhǔn)

● JEDEC JESD22-A115C-2010

2. 電壓等級(jí)

Voltage Level (V)	Positive Ipeak for Short, Ips1 (A)	Positive Ipeak for 500 Ohm* Ipr (A)	Current at 100 ns for 500 Ohm* I100 (A)	Maximum Ringing Current, I_R (A)	Resonance Frequency for Short, FR (1/t_fr) (Mhz)
100	1.5 - 2.0	N/A	N/A	Ips1 x 30%	11 - 16
200	2.8 - 3.8	N/A	N/A	Ips1 x 30%	11 - 16
400	5.8 - 8.0	1100 x 4.5 maximum	0.29+/-20%	Ips1 x 30%	11 - 16

c) CDM模擬的是帶電的器件接觸到地或?qū)w時(shí)的放電，特點(diǎn)是放電能量集中且放電時(shí)間極短。

1. 參考標(biāo)準(zhǔn)

● ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2022

● AEC-Q100-011-RevD 2019

● AEC-Q101-005-REV-A-2019

2. 電壓等級(jí)

Classification Level (see Note 1)	Classification Test Condition (in Volts) (See Note 2)
C0a	< 125
C0b	125 to < 250
C1	250 to < 500
C2a	500 to < 750
C2b	750 to < 1000
C3	≥1000 (see Note 3)

測(cè)試步驟

? HBM&MM

1. 確定芯片封裝及尺寸

2. 選擇對(duì)應(yīng)封裝的socket

3. 建立芯片pin腳與機(jī)臺(tái)通道對(duì)應(yīng)關(guān)系的mapping

4. 根據(jù)引腳屬性將芯片的引腳進(jìn)行分組

5. 設(shè)定合適的IV量程，對(duì)芯片引腳進(jìn)行IV調(diào)試

6. 根據(jù)測(cè)試方案建立測(cè)試放電組合

7. 每個(gè)電壓使用至少3pcs/10pcs(根據(jù)不同標(biāo)準(zhǔn)及客戶方案確定）將芯片所有的pin腳和放電組合都測(cè)試一遍

8. 根據(jù)最弱引腳能通過(guò)的電壓對(duì)芯片進(jìn)行ESD能力等級(jí)判定

? CDM

1. 校驗(yàn)大小金幣確認(rèn)設(shè)備波形是否符合標(biāo)準(zhǔn)要求

2. 將芯片引腳朝上放置在設(shè)備中

3. 在程序中設(shè)定芯片封裝、引腳數(shù)、芯片尺寸和引腳間距

4. 放電針定位芯片pin1腳

5. 檢查設(shè)備自動(dòng)定位pin1對(duì)角是否準(zhǔn)確

6. 根據(jù)測(cè)試方案或標(biāo)注要求設(shè)定測(cè)試電壓極性和測(cè)試電壓

7. 等待濕度降至30%以下之后開(kāi)始測(cè)試

8. 每個(gè)電壓至少測(cè)試3pcs/10pcs(根據(jù)不同標(biāo)準(zhǔn)及客戶方案確定）

9. 根據(jù)測(cè)試前后的IV曲線判定測(cè)試后結(jié)果是否pass

10. 根據(jù)最弱引腳能通過(guò)的電壓對(duì)芯片進(jìn)行ESD能力等級(jí)判定

服務(wù)流程


1. 咨詢客服	2. 申請(qǐng)測(cè)試	3. 支付費(fèi)用	4. 寄送樣品	5. 獲取報(bào)告
在線咨詢溝通業(yè)務(wù)需求	確定服務(wù)項(xiàng)目填寫(xiě)測(cè)試申請(qǐng)單	支付測(cè)試費(fèi)用并提交開(kāi)票資料	打印申請(qǐng)單并隨樣品一起郵寄至SGS實(shí)驗(yàn)室	測(cè)試完成獲取測(cè)試報(bào)告